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砷化銦 InAs / 銦砷銻 InAsSb 紅外光伏探測器 2.15-3.5μm  

PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測器,通過光學浸沒來提升探測器的性能。該設備具有高達300℃的溫度穩定性以及高機械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標要求。PVA系列是基于InAs 1-x Sb……

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E80040159  6-8 周    2-5.5μm紅外兩級TE冷卻砷化銦 InAs光浸式光伏探測器 PVIA-2TE系列   [PDF] 響應波長范圍 2-5.5μm;峰值波長 2.9μm;相對響應強度 ≥5×10^11 cm?Hz^(1/2)/w@2.9μm;光敏面積 1×1mm^2; 
E80040158  6-8 周    InAs 和 InAsSb 光伏探測器 紅外非冷卻非浸沒 2.15-3.5μm   [PDF] 響應波長范圍 2.15-3.5μm;峰值波長 2.95μm;相對響應強度≥5×10^9 cm?Hz^(1/2)/w@2.95μm;光敏面積 0.1×0.1mm^2; 
E80040157  6-8 周    2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式 InAs 砷化銦 光伏探測器 PVIA系列   [PDF] 響應波長范圍 2.15-3.5μm;峰值波長 2.95μm;相對響應強度≥5×10^10 cm?Hz^(1/2)/w@2.95μm;光敏面積 1×1mm^2; 
E80040160  6-8 周    2-5.5μm紅外兩級TE冷卻InAs光伏探測器 PVA-2TE系列   [PDF] 響應波長范圍 2-5.5μm;峰值波長 2.9μm;相對響應強度≥5×10^10 cm?Hz^(1/2)/w@2.9μm;光敏面積0.1×0.1mm^2; 

總覽

PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測器,通過光學浸沒來提升探測器的性能。該設備具有高達300℃的溫度穩定性以及高機械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標要求。

PVA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測器。該設備具有高達300℃的溫度穩定性以及高機械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標要求










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