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銦鎵砷 InGaAs 高速放大型光電探測器 PDA系列 800-1700nm  

PDAM20A6B4G-InGaAS光電探測器是一種額定帶寬,固定增益的光電探測器,用于檢測光信號。光信號從光電sensor感應面輸入,輸出通過BNC以電壓形式輸出。本產品能測量800nm到1700nm波長范圍的光信號。具體性能……

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E80040183  現貨    銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測器 800-1700nm (12MHz)   [PDF] 感光面直徑@1mm 波長800-1700nm 帶寬 DC -12MHz 上升時間:29 nS; RMS噪聲:800μV .typ; 電源:包含(±9V)     價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
E80040184  8-10周    銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測器 800-1700nm (25MHz)   [PDF] 感光面直徑@0.5mm 波長800-1700nm 帶寬 DC ?-25MHz 上升時間:14 nS; RMS噪聲:1mV .typ; 電源:包含(±9V)     價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
E80040185  8-10周    銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測器 800-1700nm (140MHz)   [PDF] 感光面直徑@1mm 波長800-1700nm 帶寬 DC ?-140MHz 上升時間:2.5 nS; RMS噪聲:760μV .typ; 電源:包含(±9V)     價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
E80040186  8-10周    銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測器 800-1700nm (2MHz)   [PDF] 感光面直徑@3mm 波長800-1700nm 帶寬 DC ?-2MHz 上升時間:175 nS; RMS噪聲:800μV .typ; 電源:包含(±9V)  
E80040117  8-10周    銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測器 800-1700nm (5MHz)   [PDF] 輸入電壓±9VDC; 100mA 感光面直徑@2mm 波長800-1700nm (可擴展到2600nm;5MHz) 峰值響應0.9 A/W@1550nm ;9mV/uW@1550nm 飽和光功率660 uW@1550nm (Hi-Z) 帶寬 DC ?-5MHz     價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服

總覽

PDAM20A6B4G-InGaAS光電探測器是一種額定帶寬,固定增益的光電探測器,用于檢測光信號。光信號從光電sensor感應面輸入,輸出通過BNC以電壓形式輸出。本產品能測量800nm到1700nm波長范圍的光信號。具體性能參數數據參考附錄表格。LD-PD光電探測器外殼帶有英制1/4"-20螺紋的安裝孔,可以方便的安裝固定。 外殼部分還附帶兩種不同尺寸的螺紋接圈,這兩種螺紋接圈分別適合于工業應用和科研應用,可以方便適配外部光學部件,如濾光片,衰減片,鏡頭,FC光纖轉接盤等。該產品包含一個塑料防塵蓋。具體安裝請參考閱讀第三章節。 每個光電探測器都配有一個輸出±9V的直流線性電源,該直流電源的輸入額定電壓為220VAC/50HZ。

通用參數

搜狗截圖20220217135438.png


產品特點:

低噪聲,小于±lmV

過沖小,過沖電壓小于2.5%

增益穩定:增益誤差小于1%

暗偏置電壓輸出噪聲:小于ImV (rms)


應用領域:

?顯示面板檢測

?LED照明頻閃分析

?玩具燈閃爍頻率及功率測量

?氣體分析


參數

PN#

PDA  M  005B-  Si

PDA  M  36A5B6G-  SI

PDA  M  20A6B4G-  InGaAs

電器特性




輸入電壓

±9VDC, 60mA

±9VDG 100mA

±9VDC. 100mA

探頭

Silicon PIN

Silicon PIN

InGaAs PIN

感光面

2.65mm * 2.65mm

3.6mm * 3.6mm

Diameters@2 mm

波長

400 nm - 1100 nm

320 nm - 1100 nm

800 nm - 1700 nm(Optional   Extended(可選擴展)   2600nm)

峰值響應

0.62A/W @850nm

0.6 A/W @960nm

0.9 A/W@1550nm


43.6mV/uW @850nm

1 mV/nW @960nm

9mV/uW@1550nm

飽和光功率

113pW@ 850nm (Hi-Z)

6uW @960nm (Hi-Z)

660 uW@1550nm (Hi-Z)

芾寬

DC ?-5MHz

DC - 200kHz

DC - 5MHz

NEP

7.2 pW/4HZ1/2

2.2 pW/HZ1/2

64.5 pW/HZ1/2

輸出噪聲(RMS)

700 uV

1 mV ?typ

1.3 mV .typ

暗電流偏置(MAX)

±5 mV

±1 mV

±5 mV

上升沿/下降沿(10%—90%)

65 ns

1.7 us

68ns

輸出電壓




Hi-Z

0- SV (Hi-Z)

0-6V (Hi-Z)

0-6V (Hi-Z)

500

0 ? 2.5V (50ohm)

0 ? 25V (50ohm)

0 ? 25V (50ohm)

增益倍數




Hi-Z

67.5 kV/A

1.68 MV/A

10 kV/A

50Q

33.8 kV/A

0.84 MV/A

5kV/A

增益精度(typ)

±1%

±1%

±1%

其他參數





撥動開關

撥動開關

撥動開關

輸出接口

BNC

BNC

BNC

尺寸

53*50*50mm

53*50*50mm

53*50*50mm

重量

150g

150g

150g

操作溫度

10-50deg

10-50deg

10-50deg

存儲溫度

?25°C - 70°C

-25°C - 70°C

-25°C - 70°C

 


銦鎵砷光電探測器,帶放大,固定增益型號參考


型號波長帶寬上升時間增益RMS噪聲NEP感應面工作溫度電源
Hi-Z 負載50Ω 負載
PDA10A8B4G-NIR800 - 1700 nmDC - 140MHz2.5 nS1*10V/A5*103 V/A760μV .typ4.8*10-12 W/√HZф1 mm10-50℃包含(±9V)
PDA05A7B4G-NIR800 - 1700 nmDC - 25MHz14 nS1.2*10V/A6*103 V/A1mV .typ1.9*10-11 W/√HZф0.5 mm10-50℃包含(±9V)
PDA10A7B4G-NIR800 - 1700 nmDC - 12MHz29 nS1*10V/A5*103 V/A800μV .typ2.6*10-11 W/√HZф1 mm10-50℃包含(±9V)
PDA20A6B4G-NIR800 - 1700 nmDC - 5MHz70 nS1*10V/A5*103 V/A1.3mV .typ6.5*10-11 W/√HZф2 mm10-50℃包含(±9V)
PDA30A6B4G-NIR800 - 1700 nmDC - 2MHz175 nS1*10V/A5*103 V/A800μV .typ6.3*10-11 W/√HZф3 mm10-50℃包含(±9V)








外觀及安裝使用




測試案列:

測試光源:

PN:PL-DFB-9672.4-B-A81-PA

SN:DO3431e-q2-Bo2-A19

測試條件:25℃、激光器電流掃描15-23mA,探測器輸出如下圖。



此款探測器在972nm時,探測精度高,微弱光(幾十微瓦)也可以探測到。



尺寸圖