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InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管(內置TEC制冷型) 0.9-1.7um  

InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是短波近紅外單 光子檢測的專用器件,可滿足量子通信、弱光探測等領 域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求,實現對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。

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E80042039  3-4 周    InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (內置TEC制冷型)   [PDF] 光譜響應范圍0.9~1.7μm;響應度 @1550nm: 0.85 A/W; 6針TO8 封裝;SMF-28E 光纖耦合;FC/APC; 帶 TCE    價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服

總覽

InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是短波近紅外單 光子檢測的專用器件,可滿足量子通信、弱光探測等領 域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求,實現對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。

產品特點

● 光譜響應范圍0.9~1.7μm 

● 高探測效率、低暗計數率 

● 6 pin TO8

產品應用

● 弱光探測 

● 量子保密通信 

● 生物醫療

技術參數

線性模式參數

產品型號

IGA-APD-GM104-TEC

參數

符號

單位

測試條件

最小

典型

最大

反向擊穿電壓

VBR

V

22℃±3℃ ,ID =10μA

60

80

90

響應度

Re

A/W

22℃±3℃,λ =1550nm ,M =1

0.8

0.85


暗電流

ID

nA

22℃±3℃,M =10


0.1

0.3

電容

C

pF

22℃±3℃ ,M =10, f=1MHz



0.25

擊穿電壓溫度系數

η

V/K

-40℃ ~80℃,ID =10μA



0.15


蓋革模式參數

參數

單位

測試條件

最小

典型

最大

單光子探測效率 PDE

%

-45℃ ,λ =1550nm ,0.1ph/pulse,泊松分布單光子源

20



暗計數率 DCR

 

kHz

-45℃,1ns門寬,2MHz門控重頻,1MHz光重頻,PDE=20%



 

20*

后脈沖概率 APP


-45℃,1ns門寬,2MHz門控重頻,1MHz光重頻,PDE=20%



1× 10-3

時間抖動Tj

ps

-45℃,1ns 門寬,2MHz門控重頻,PDE=20%



100

* 可提供不同等級規格產品


室溫IV曲線

BPD2.png

DCR-PDE(-45℃, fg=2MHz)

BPD3.png

溫度系數

BPD4.png

電容電壓

BPD5.png


封裝外形、尺寸及引腳定義 TO8 (尾纖封裝)

BPD6.png












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