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Anritsu SLD激光器 840nm  

SLD(超輻射發光二極管/SLED)光源提供與激光二極管等效的輸出功率和與LED(發光二極管)等效的寬振蕩光譜寬度,以及低相干度。由于它發射的光具有相當于激光二極管的窄有源層,因此非常適合進入光纖,并且……

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A80050014  現貨    Anritsu SLD激光器 840nm   [PDF] 中心波長840nm;光功率:5mw;光譜寬度:50nm    價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服

總覽

SLD(超輻射發光二極管/SLED)光源提供與激光二極管等效的輸出功率和與LED(發光二極管)等效的寬振蕩光譜寬度,以及低相干度。由于它發射的光具有相當于激光二極管的窄有源層,因此非常適合進入光纖,并且具有介于LD和LED之間的特性。

AS8B系列是為光學相干層析成像(OCT)光源和非相干光學測量設備開發的超發光二極管(SLD)模塊。

通用參數

特點

光纖輸出功率高

2 mW(如果IF£120 mA)AS8B112G230M(Δλ:14 nm)

5 mW(如果IF£150 mA)AS8B115G230M(Δλ:14 nm)

5 mW(如果IF£180 mA)AS8B115L240M(Δλ:50 nm)

尾纖:SMF(Φ0.9 mm:尼龍涂層)

FC-APC連接器

14針蝶形組件

監視器PD和TEC(熱電冷卻器)內置在組件中

低功耗


應用

光學相干層析成像(OCT)

光學傳感系統光源


尺寸






吸收最大額定值



Item

Symbol

Rating

unit

AS8B112G230M

AS8B115G230M

AS8B115L240M

Optical output power

Pf

2.5

6.0

7.0

mW

SLD Forward current

IF

180

220

220

mA

SLD Reverse voltage

VR

2.0

V

PD Reverse voltage

VRD

20

V

Operation case

temperature

TC

-20 to 70

°C

Storage temperature

Tstg

-40 to 85

°C

TEC current

IC

2.0

A



注:超過絕對最大額定值可能導致故障。



光纖特性


Item

Min.

Typ.

Max.

unit

Cut-off wavelength

700

730

760

nm

Mode field diameter @850nm

4.5

5.0

5.5

μm

Clad diameter

123.5

125

126.5

μm

Coating diameter

850

-

950

μm

Fiber bending radius

13

-

-

mm


光學特性(TSLD=25°C、TC=25°C)

Item

Symbol

AS8B112G230M

AS8B115G230M

AS8B115L240M

unit

Min.

Typ.

Max.

Min.

Typ.

Max.

Min.

Typ.

Max.

Output power

Pf

2.0

-

-

5.0

-

-

5.0

-

-

mW

Forward voltage

VF

-

2.0

2.5

-

2.0

2.5

-

2.0

2.5

V

Forward current

(BOL)

IF

-

-

120

-

-

150

-

150

180

mA

Center

wavelength

λC

810

830

850

810

830

850

820

840

860

nm

Spectral Width

Δλ

10

14

-

10

14

-

45

50

-

nm

Monitor current

Im

0.2

-

-

0.2

-

-

0.05

-

2.0

mA


注1:每個值在額定輸出功率下指Ding。

注2:監視器電流測量條件(VR=5 V)。


電氣特性

Item

Symbol

Condition

Min.

Typ.

Max.

unit

PD dark current

Id

VR=5 V

-

-

0.1

μA

Tracking error

ΔPf

Im=const, Tc=-20 to 70°C

-1.0

-

1.0

dB

Cooler voltage

VC

IF=*EOL, Tc=70°C

-

-

2.5

V

Cooler current

IC

IF=*EOL, Tc=70°C

-

-

1.0

A

Thermistor resistance

Rth

TLD=25°C, B=3900±100K

9.5

10.0

10.5

注:BOL:壽命開始/EOL:壽命結束*EOL=BOL×1.2


標準性能

輸出功率(Pf)/正向電壓(VF)/監控電流(Im)























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